QSCB0805- 1R0

含能半導體橋絲(QSCB)是在原半導體橋(SCB)結構的基礎上覆合含能層,用以激發(fā)強化其等離子體能量,使其輸出能量可以直接點(diǎn)火起爆藥。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導體橋絲(SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導體雪崩效應,瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑,最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負阻效應,等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統橋絲,使其具用超高的點(diǎn)火效率,從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

SCB0805- 1R0

半導體橋絲(SCB) 采用多晶硅材料利用成熟的半導體工藝技術(shù)制作而成,。依靠電流產(chǎn)生的半導體雪崩效應,瞬間將固態(tài)硅升華為等離子態(tài)并作用于火工藥劑,最終產(chǎn)生爆轟。其具用的負阻效應,等離子態(tài)激發(fā)等特點(diǎn)有別于傳統橋絲,使其具用超高的點(diǎn)火效率,從而成為最理想的換能元。

2020-10-29

JMC0805- 8R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 6R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

JMC0805- 2R0

在極薄的鎳鉻合金材料上采用半導體薄膜蝕刻工藝制程的電阻(2~8Ω),通過(guò)過(guò)載電流使合金橋體發(fā)生拉弧并引燃點(diǎn)火藥,最終電能轉爆轟實(shí)現能量轉換的目的,也有“換能元”“起爆電阻”等叫法。

2020-10-29

  • 首頁(yè)
  • 上一頁(yè)
  • 1
  • 下一頁(yè)
  • 末頁(yè)
  • Copyright ? 2020.南京精觸電子科技發(fā)展有限公司 版權所有 備案號:蘇ICP備2020053511號